(終了)数理物質系 ドライエッチングシステムオペレーショントレーニング開催のお知らせ(8/6)

下記のトレーニングは終了いたしました。
——————————————————————————————
日頃より、オープンファシリティーの登録機器をご利用いただきまして誠にありがとうございます。

この度、数理物質系(パワエレ共用システム)で保有しております、ドライエッチングシステムの
オペレーショントレーニングを実施することとなりましたので、以下にお知らせ申し上げます。

対象機器:ドライエッチングシステム(CDE-7-4)
詳細は、こちらよりご覧ください。

【装置特徴】
・ ラジカルによる低ダメージの等方性ドライエッチング装置です。マイクロ波プラズマで生成されたラジカル
  により、SiやSiO2など様々な材料のエッチングが可能です。
・ 処理(エッチング)部とプラズマ発生部が完全に分離した、 リモートプラズマ方式であるため、
  プラズマダメージが入りません。
・ Siの表面や溝の平滑化・ドライ洗浄、SiO2上のSiN膜の高選択比エッチング、DRIE後のスキャロップ除去
  などが可能です。
【仕様】
・ プラズマ電源:マイクロ波 2.45GHz 1kW、エッチングガス:CF4, O2, N2.
・ 試料サイズ:数mm~6インチウェハー(最大25枚)

【講習内容】
芝浦メカトロニクス、芝浦エレテックのメーカー技術者をお招きしての操作講習会となります。装置を熟知した
メーカースタッフにお話がうかがえ、実機指導も受けられます。普段思っている疑問などをご質問することも
できますので、この機会にふるってご参加ください。
(当日の流れ)
・CDE (Chemical Dry Etching) とは?
・CDE-7-4 装置概要
・CDEの主なプロセス・最近の用途
・実機使用実習
・ご質問等その他

【開催日】 
2018年8月6日(月)13:00-17:00

【会場】
総合研究棟B 0022室

【応募人数】
10名程度

【申込先・問合せ】
数理物質系パワーエレクトロニクス共用システム
E-mail:sharing-power-e(at)ml.cc.tsukuba.ac.jp 
※(at)を@に変換して送信してください  
※件名に、「CDE-7-4操作講習会応募」と記載いただき、所属機関、部署(研究室名)、⽒名、職名(学年)、
 電話番号、E-mail をご連絡ください。
TEL:029-853-5600 自動音声後(内線)91169 又は 91168

【応募締切】
2018年8⽉1⽇(水)

コメントは受け付けていません。